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　　微流控片是一種能夠在微型管道中進(jìn)行微小體積液體操作的芯片。常用于微流控技術(shù)中，可應(yīng)用于醫(yī)學(xué)診斷、環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域。而其加工工藝則是保證微流控芯片精度和性能的重要環(huán)節(jié)。作為功率放大器的應(yīng)用領(lǐng)域之一，Aigtek安泰電子今天就給大家揭秘。

　　據(jù)悉，目前微流控芯片加工工藝主要包括光刻、蒸發(fā)、沉積、刻蝕等步驟，其中光刻是*為重要的一步。在這一步驟中，需要利用光刻膠、掩膜、光源等工具，通過光照和化學(xué)反應(yīng)等過程將芯片的結(jié)構(gòu)圖案化在硅片上，保證微流控芯片的精度和性能。微流控芯片加工工藝是微流控技術(shù)中不可或缺的一環(huán)。其對于芯片的精度和性能起到至關(guān)重要的作用。

　　常見的微流體通道的加工工藝有光刻和刻蝕技術(shù)、熱壓法、模塑法、注塑法LIGA法和激光燒灼法等傳統(tǒng)方法以及3D打印等多種技術(shù)，下面就光刻法這兩種常用的方法進(jìn)行詳細(xì)解說。

　　光刻和刻蝕技術(shù)

　　光刻是利用光成像和光敏膠在微流控芯片的基片如硅、玻璃等材料上圖形化的過程，其基本工藝過程包括:預(yù)處理涂膠、前烘、曝光、顯影、堅膜等

　　a.基片清洗

　　通過拋光、酸洗、水洗的方法使硅、石英或玻璃等基片表面得以凈化，并將其干燥，便于后續(xù)光刻膠與基片表面的粘附;

　　b.涂膠

　　在處理過的基片表面均勻涂上一層光刻膠:

　　c.前烘

　　去除光刻膠液中溶劑，增強光刻膠與基片粘附以及膠膜的耐磨性;

　　d.曝光

　　曝光是光刻中的關(guān)鍵工席，主要是用紫外光等透過掩模對光刻膠進(jìn)行選擇性照射，在受光照的地方，光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，改變感光部位膠的性質(zhì)，如圖所示;

　　e.顯影

　　把曝光過的基片用顯影液清除應(yīng)去掉的光刻膠，以獲得與掩模相同(正光刻膠)或相反(負(fù)光刻)的圖形，如圖所示;

　　f.堅膜將顯影后的基片進(jìn)行清洗并烘烤，徹底除去顯影后殘留于膠膜中的溶劑或水分，使膠膜與基片緊密粘附，防止膠層脫落，并增強膠膜本身的抗蝕能力。

　　ATA-2161高壓放大器

　　帶寬：（-3dB）DC~150kHz

　　電壓：1600Vp-p（±800Vp）

　　電流：40mAp

　　功率：32Wp

　　壓擺率：≥534V/μs

　　可程控

　　本資料由Aigtek安泰電子整理發(fā)布，更多案例及產(chǎn)品詳情請持續(xù)關(guān)注我們。

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