功率放大器應用領域小百科：微流控芯片加工工藝有哪些？
微流控片是一種能夠在微型管道中進行微小體積液體操作的芯片。常用于微流控技術中，可應用于醫學診斷、環境監測等領域。而其加工工藝則是保證微流控芯片精度和性能的重要環節。作為功率放大器的應用領域之一，Aigtek安泰電子今天就給大家揭秘。
據悉，目前微流控芯片加工工藝主要包括光刻、蒸發、沉積、刻蝕等步驟，其中光刻是*為重要的一步。在這一步驟中，需要利用光刻膠、掩膜、光源等工具，通過光照和化學反應等過程將芯片的結構圖案化在硅片上，保證微流控芯片的精度和性能。微流控芯片加工工藝是微流控技術中不可或缺的一環。其對于芯片的精度和性能起到至關重要的作用。
常見的微流體通道的加工工藝有光刻和刻蝕技術、熱壓法、模塑法、注塑法LIGA法和激光燒灼法等傳統方法以及3D打印等多種技術，下面就光刻法這兩種常用的方法進行詳細解說。
光刻和刻蝕技術
光刻是利用光成像和光敏膠在微流控芯片的基片如硅、玻璃等材料上圖形化的過程，其基本工藝過程包括:預處理涂膠、前烘、曝光、顯影、堅膜等
a.基片清洗
通過拋光、酸洗、水洗的方法使硅、石英或玻璃等基片表面得以凈化，并將其干燥，便于后續光刻膠與基片表面的粘附;
b.涂膠
在處理過的基片表面均勻涂上一層光刻膠:
c.前烘
去除光刻膠液中溶劑，增強光刻膠與基片粘附以及膠膜的耐磨性;
d.曝光
曝光是光刻中的關鍵工席，主要是用紫外光等透過掩模對光刻膠進行選擇性照射，在受光照的地方，光刻膠發生化學反應，改變感光部位膠的性質，如圖所示;
e.顯影
把曝光過的基片用顯影液清除應去掉的光刻膠，以獲得與掩模相同(正光刻膠)或相反(負光刻)的圖形，如圖所示;
f.堅膜將顯影后的基片進行清洗并烘烤，徹底除去顯影后殘留于膠膜中的溶劑或水分，使膠膜與基片緊密粘附，防止膠層脫落，并增強膠膜本身的抗蝕能力。
帶寬：（-3dB）DC~150kHz
電壓：1600Vp-p（±800Vp）
電流：40mAp
功率：32Wp
壓擺率：≥534V/μs
可程控
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